JD-2026-001
光电芯片设计工程师
南通
全职 · 研发
负责薄膜铌酸锂调制器的器件级与系统级设计,包括光波导、MMI 耦合器、DC、GC、行波电极微波设计等;主导 GDS 版图绘制,跟进 MPW 或 Full Mask 流片进程,并对回片进行光电性能测试与失效分析。
任职要求
- · 硕士及以上学历,电磁场与微波技术 / 物理电子学 / 光学工程等专业
- · 光学背景:精通光子器件仿真软件(Lumerical MODE / FDTD),熟悉铌酸锂材料特性及刻蚀工艺
- · 电学背景:精通射频 / 微波电路设计(HFSS, ADS),熟悉高频传输线理论、阻抗匹配及微波探针测试
加分项
- · 有薄膜铌酸锂(TFLN)流片经验
- · 熟悉硅光子或磷化铟平台
- · 有高速 SerDes 或相干光模块设计背景